SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔다.
양사는 최근 대만 타이베이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했고 SK하이닉스는 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다.
양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.
TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이라는 설명이다. SK하이닉스는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다.
또 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS® 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고 HBM 관련 고객 요청에도 공동 대응하기로 했다. [뉴스W]
관련기사