SK하이닉스 신규 팹 M15X 건설 조감도. 사진=SK하이닉스 제공
SK하이닉스 신규 팹 M15X 건설 조감도. 사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 급증하는 AI 반도체 수요에 대응해 HBM 등 차세대 D램 생산능력(캐파) 확장에 나서기로 했다고 24일 밝혔다.

이날 SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹 M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 약 5조3000억원을 투자하기로 결정했다.

SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 내년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다.

M15X는 TSV 캐파를 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점이 있다는 것이 SK하이닉스 측의 설명이다.

TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 상호연결 기술이다.

M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자도 차질 없이 진행한다는 방침이다.

현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행 중이다. SK하이닉스의 생산시설이 들어설 부지에 대한 보상절차와 문화재 조사는 모두 완료됐고 전력과 용수, 도로 등 인프라 조성도 계획보다 빠르게 진행되고 있다. 회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 오는 2027년 5월 준공할 예정이다. [뉴스W]

 

저작권자 © 뻔하지 않은 뻔뻔한 뉴스-뉴스W 무단전재 및 재배포 금지